行业技术
三星新智能表将实现快充 FCC文件显示
虽然我们仍然不知道三星下一代智能手表的所有细节,但最近的FCC文件暗示,你至少可以期待一个大的更新:更快的充电。
FCC文件在功能方面没有透露太多信息,但它们是一个很好的指标,表明一个产品正在接近推出。这些文件首先由9to5Google发现,并表明将有三种型号,即SM-R900、SM-R910和SM-R920。他们还确认了基本的连接规格,比如这些手表将支持蓝牙、2.4和5Ghz Wi-Fi,以及非接触式支付。但就三星Galaxy Watch 5的阵容而言,最吸引人的是这些手表可以以10W的速度充电。就背景而言,Galaxy Watch 4只支持一半的速度。
在电池寿命方面,三星Galaxy Watch 4令人非常失望。尽管三星承诺有40小时的电池寿命,但如果你启用所有的功能和小程序,如常亮的显示屏,Galaxy Watch 4系列很难超过一整天。而在The Verge的测试中,一旦谷歌助手在上个月嵌入Wear OS 3,情况就会变得更糟。
如果新手表也需要每天充电,增加快速充电功能可以帮助三星躲避类似的抱怨--尤其是Galaxy Watch 4从零到100%需要两个小时左右。这项功能也已经存在于许多其他智能手表上。几年前,Fossil在其Wear OS手表中加入了快速充电功能,而苹果去年在其7系列手表中引入了快速充电功能。
除了用户的抱怨,还有很多原因说明三星可能会优先考虑更好的电池体验。首先是睡眠跟踪。与Fitbit和其他健身追踪器相比,三星--和苹果--在这一领域往往落后,因为他们的智能手表如果不在睡前快速充电,往往就无法过夜。睡眠追踪并不是每个人的头等大事,但它是一个越来越受欢迎的功能,也是三星似乎感兴趣的领域。今年2月,它通过一个辅导项目扩大了睡眠跟踪功能。也就是说,如果你的睡眠跟踪设备不能坚持到早上,就很难引起轰动。
另一个原因可能是由于Galaxy Watch 5的 "专业 "版已基本确定。据传,这款手表的电池容量为572mAh,充电速度为5W,以今天的标准来看,简直就是乌龟一样。据传,标准的Galaxy Watch 5型号这次也会有更大的电池。Galaxy Watch 4的两小时充电时间已经很不理想,再延长充电时间将是一个重大错误。
三星通常在夏末推出其可穿戴设备,因此在我们了解更多关于Galaxy Watch 5系列的信息之前,不会有太多时间。而且,重要的是,三星要做好这一点。去年的Galaxy Watch 4有一些回旋余地,因为它是--现在
三星宣布量产第 8 代 V-NAND 闪存,PCIe 5 SSD 速度可超 12GBps
11 月 7 日消息,虽然还没有发布任何实际产品,但三星电子现宣布已经开始大规模生产其 236 层 3D NAND 闪存芯片,该公司将其命名为第 8 代 V-NAND。
新一代存储芯片可带来 2MTps 的传输速度,当搭配高端主控使用时,它可使得消费级 SSD 的传输速度轻松超过 12GBps。
据介绍,第 8 代 V-NAND 可提供 1Tb (128GB) 的方案,三星电子没有公开 IC 的大小和实际密度,不过他们称之为业界最高的比特密度。
三星声称,与现有相同容量的闪存芯片相比,其新一代 3D NAND 闪存可提高 20% 的单晶生产率,从而进一步降低了成本(在良率相同的情况下),这可能意味着大家有望买到同容量更便宜的固态硬盘。
该公司没有透露新品架构,但根据提供的图像,我们可以假设这是一种双平面 3D NAND 芯片。
三星电子闪存产品与技术执行副总裁 SungHoi Hur 表示:“由于市场对更密集、更大容量存储的需求推动了更高的 V-NAND 层数,三星采用了先进的 3D 压缩技术,以减少表面积和高度,同时避免通常在压缩时出现的单元间干扰。”“我们第 8 代 V-NAND 将有助于满足快速增长的市场需求,并使我们更好地提供更多差异化的产品和解决方案,这将是未来存储创新的基础。”
今年年中,三星推出了其第八代和第九代 V-NAND 产品以及第五代 DRAM 产品。在此之前,该公司目前为 V-NAND 提供 512 Gb 三级单元 (TLC) 产品。
此外,第五代 DRAM 产品将是 10nm (1b) 器件,将于 2023 年进入量产阶段。IT之家了解到,三星即将推出的其它 DRAM 解决方案还包括 32 Gb DDR5 解决方案、8.5 Gbps LPDDR5X DRAM 和 36 Gbps GDDR7 DRAM。
三星对其 V-NAND 声称,到 2030 年,它将打造出 1000 层的 V-NAND。为了实现这一目标,三星正在从其当前的 。